Low-Temperature-Processed Zinc Oxide Thin-Film Transistors Fabricated by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition

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等离子体辅助原子层沉积法制备低温氧化锌薄膜晶体管

DOI:
10.1143/jjap.51.02bf04
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发表时间:
2012
期刊:
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子:
--
通讯作者:
Yumi Kawamura
Yumi Kawamura
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
K. Nakagawa;K. Tamura;Y. Ashizawa;S. Ohnuki;Yumi Kawamura

文献摘要

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