HVPE-grown GaN substrate with overall low dislocation density and relation between lattice bowing and defects
HVPE-grown GaN substrate with overall low dislocation density and relation between lattice bowing and defects
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HVPE 生长的 GaN 衬底具有整体低位错密度以及晶格弯曲和缺陷之间的关系
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Tadatomo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Okada;K. Yamane;T. Matsubara;S. Goubara;H. Ihara;K. Yukizane;T. Ezaki;S. Fujimoto;R. Inomoto;K. Tadatomo
