Gate-stress Induced Threshold Voltage Instability in GaN HEMT with PNJ-gate
Gate-stress Induced Threshold Voltage Instability in GaN HEMT with PNJ-gate
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具有 PNJ 栅极的 GaN HEMT 中栅极应力引起的阈值电压不稳定性
DOI：
10.1109/ted.2022.3177397
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发表时间：
2022
影响因子：
3.1
通讯作者：
Mengyuan Hua
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zuoheng Jiang;Lingling Li;Chengcai Wang;Jun Ma;Zhaojun Liu;Mengyuan Hua
