Study of InGaP/GaAs/InGaP MSM photodetectors using indium-tin-oxide as transparent and antireflection Schottky electrode
Study of InGaP/GaAs/InGaP MSM photodetectors using indium-tin-oxide as transparent and antireflection Schottky electrode
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以氧化铟锡为透明抗反射肖特基电极的InGaP/GaAs/InGaP MSM光电探测器的研究
DOI：
10.1016/s0038-1101(98)00306-2
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发表时间：
1999
影响因子：
1.7
通讯作者：
Ching
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Chang;Ching;Y. Lin;Ching
