半極性(1-101)GaNストライプ結晶上 高In組成InGaN成長
半極性(1-101)GaNストライプ結晶上 高In組成InGaN成長
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在半极性 (1-101) GaN 条状晶体上生长高 In 成分 InGaN
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
天野浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
久志本真希;本田善央;天野浩
