Selective area growth of GaN microstructures on patterned (111) and (001) Si substrates

Selective area growth of GaN microstructures on patterned (111) and (001) Si substrates
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图案化 (111) 和 (001) Si 衬底上 GaN 微结构的选择性区域生长

DOI:
10.1016/s0022-0248(01)01244-1
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发表时间:
2001
影响因子:
1.8
通讯作者:
N. Sawaki
N. Sawaki
中科院分区:
材料科学3区
文献类型:
--
作者:
Y. Honda;Y. Kawaguchi;Y. Ohtake;Shigeyasu Tanaka;M. Yamaguchi;N. Sawaki

文献摘要

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