Single domain poly-Si film on insulating substrate by limited region aluminum induced layer exchange growth
Single domain poly-Si film on insulating substrate by limited region aluminum induced layer exchange growth
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通过有限区域铝诱导层交换生长在绝缘衬底上形成单畴多晶硅薄膜
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松村亮 王云帆 JEVASUWANWipakorn 深田直樹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Atsushi Miyauchi;Tomohiro Sonobe;and Noriyoshi Sukegawa;Yasushi Kawase and Atsushi Miyauchi;宮内 敦史，武田 朗子;松村亮 王云帆 JEVASUWANWipakorn 深田直樹
