InGaAs tri-gate MOSFET with MOVPE regrown source/drain
InGaAs tri-gate MOSFET with MOVPE regrown source/drain
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具有 MOVPE 再生长源极/漏极的 InGaAs 三栅极 MOSFET
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yuichi Mishima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岩井郁也;吉富邦明;金谷晴一;Yuichi Mishima
