Effects of growth temperature of a capping layer on excited spin properties of In0.5Ga0.5As quantum dots
Effects of growth temperature of a capping layer on excited spin properties of In0.5Ga0.5As quantum dots
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覆盖层生长温度对In0.5Ga0.5As量子点激发自旋特性的影响
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Murayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Nakamura;S. Hiura;S. Sato;J. Takayama;A. Murayama
