Silicon-doped β -Ga 2 O 3 films grown at 1 µ m/h by suboxide molecular-beam epitaxy
Silicon-doped β -Ga 2 O 3 films grown at 1 µ m/h by suboxide molecular-beam epitaxy
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通过低氧化物分子束外延以 1 µ m/h 的速度生长硅掺杂 β -Ga 2 O 3 薄膜
DOI：
10.1063/5.0139622
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
6.1
通讯作者：
Steele, Jacob
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Azizie, Kathy;Hensling, Felix V.;Gorsak, Cameron A.;Kim, Yunjo;Pieczulewski, Naomi A.;Dryden, Daniel M.;Senevirathna, M. K.;Coye, Selena;Shang, Shun-Li;Steele, Jacob
