Silicon as a model ion trap: time domain measurements of donor Rydberg states
Silicon as a model ion trap: time domain measurements of donor Rydberg states
复制标题
硅作为模型离子陷阱：供体里德伯态的时域测量
DOI：
10.48550/arxiv.0812.0148
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Vinh N
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Vinh N
