LDMOS-transistors on semi-insulating silicon-on-polycrystalline-silicon carbide substrates for improved RF and thermal properties
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半绝缘多晶碳化硅衬底上的 LDMOS 晶体管可改善射频和热性能
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Olsson
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Lotfi;Ling;Ö. Vallin;L. Vestling;H. Norström;J. Olsson
