On the Time Behaviour of Electron Impact Excitation in Thin Film Electroluminescent Devices)
On the Time Behaviour of Electron Impact Excitation in Thin Film Electroluminescent Devices)
复制标题
薄膜电致发光器件中电子碰撞激发的时间行为
DOI：
10.1002/pssa.2210810237
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发表时间：
1984
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
G. Schulz
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Mach;G. O. Müller;G. Schulz
在 MISIM（金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属）类型的交流薄膜电致发光器件中测量电流、转移电荷和亮度的时间依赖性。从这些数据中可以得出生成速率 γ(t) 和激励效率 η(t) 以及半导体层上的电压。获得的信息非常适合此类结构中基本机制的简单描述，并且可能对理解基本过程具有更普遍的影响。
这是 Stromes 的 Zeitabhangigkeit des Stromes、der Transferierten Ladung 和 der Helligkeit von Wechselspannungs-Dunnfilm MISIM Strukturen（金属-隔离器-Halbleiter-隔离器-金属）gemessen。生成率 γ(t) 的生成日期是 γ(t) 的生成率，而 η(t) 是生成的生成率。最好的信息是关于结构的基本机械装置的信息，并且所有这些信息都将在整个生产过程中完成。
The time dependence of current, transferred charge, and brightness are measured in ac thin film electroluminescent devices of the MISIM (metal-insulator-semiconductor-insulator-metal) type. From these data generation rates γ(t) and excitation efficiencies η(t) as well as the voltage across the semiconductor layer are derived. The information obtained fits nicely into a simple picture of the basic mechanisms in such structures and may have more general implications for the understanding of basic processes.
Es wird die Zeitabhangigkeit des Stromes, der transferierten Ladung und der Helligkeit von Wechselspannungs-Dunnfilm MISIM Strukturen (Metall-Isolator-Halbleiter-Isolator-Metall) gemessen. Aus diesen Daten wurden Aussagen zur Generationsrate γ(t), der Ausbeute der Anregung η(t) sowie der am Halbleiter abfallenden Spannung abgeleitet. Die erhaltenen Informationen bestatigen zum einen ein einfaches Bild der Grundmechanismen derartiger Strukturen und beinhalten daruber hinaus allgemeinere Aussagen, die fur ein Verstandnis dieser Grundprozesse wesentlich sind.