K.Arita, M.Akamatsu, and T.Asano: "Supressing plasma induced degradation of gate oxide by using silicon-on-insulator structures" Ext.Abs.1997 Int.Conf.Solid State Devices and Materials. 146-147 (1997)
K.Arita, M.Akamatsu, and T.Asano: "Supressing plasma induced degradation of gate oxide by using silicon-on-insulator structures" Ext.Abs.1997 Int.Conf.Solid State Devices and Materials. 146-147 (1997)
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K.Arita、M.Akamatsu 和 T.Asano：“通过使用绝缘体上硅结构抑制等离子体引起的栅极氧化物退化”Ext.Abs.1997 Int.Conf.Solid State Devices and Materials。
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