Monte Carlo Analysis of Base Transit Times of InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Ultra thin Graded Bases
Monte Carlo Analysis of Base Transit Times of InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Ultra thin Graded Bases
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超薄梯度基极InP/GaInAs异质结双极晶体管基极渡越时间的蒙特卡洛分析
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Furuya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Uesawa;M. Yamada;Y. Miyamoto;K. Furuya
