Synthesis of Cubic-GaN Nanoparticles Using the Na Flux Method - A Novel Use for 図5. Na フラックス中での立方晶GaN 生成領域の合成 温度、窒素圧力相図 図6. Na フラックス中で合成された立方晶GaN のXRD プロファイル 図7. Na フラックス中で合成された立方晶GaN のカソ ードルミネッセンススペクトル 図8. ユーロピウムをドーピングした立方晶GaN の XANES プロファイル。ユーロピウムは全て3 価
Synthesis of Cubic-GaN Nanoparticles Using the Na Flux Method - A Novel Use for 図5. Na フラックス中での立方晶GaN 生成領域の合成 温度、窒素圧力相図 図6. Na フラックス中で合成された立方晶GaN のXRD プロファイル 図7. Na フラックス中で合成された立方晶GaN のカソ ードルミネッセンススペクトル 図8. ユーロピウムをドーピングした立方晶GaN の XANES プロファイル。ユーロピウムは全て3 価
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使用 Na 通量法合成立方 GaN 纳米颗粒 - 一种新用途 图 5. 在 Na 通量中合成立方 GaN 生产区域 温度、氮气压力相图 图 6. 在 Na 通量中合成的立方 GaN 图 7. 立方体的阴极发光光谱在 Na 熔剂中合成的 GaN 图 8. 掺杂铕的立方 GaN 的 XANES 剖面。
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
F. Kawamura and T. Taniguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Takeuchi;Y.Matsukawa;et al;F. Kawamura and T. Taniguchi
