Yamaguchi, A. Meguro, Y. Suda: "Si<1-x)Ge<x>/Si Triple-Barrier RTD with a Peak-to-Valley Ratio of ≧ at RT Formed Using an Annealed Thin Multilayer Buffer"Ext. Abs. 2001 Int. Conf. Solid State Devices and Material. 582-583 (2001)
Yamaguchi, A. Meguro, Y. Suda: "Si<1-x)Ge<x>/Si Triple-Barrier RTD with a Peak-to-Valley Ratio of ≧ at RT Formed Using an Annealed Thin Multilayer Buffer"Ext. Abs. 2001 Int. Conf. Solid State Devices and Material. 582-583 (2001)
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Yamaguchi, A. Meguro, Y. Suda：“使用退火薄多层缓冲器形成室温下峰谷比≥的 Si<1-x)Ge<x>/Si 三势垒 RTD”Ext. 2001 年固态器件和材料。
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