Pressure-induced boron nitride nanotube derivatives: 3D metastable allotropes
Pressure-induced boron nitride nanotube derivatives: 3D metastable allotropes
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压力诱导氮化硼纳米管衍生物：3D 亚稳态同素异形体
DOI：
10.1063/1.4982353
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发表时间：
2017-04
影响因子：
3.2
通讯作者：
Gao Guoying
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xiong Mei;Luo Kun;Yu Dongli;Zhao Zhisheng;He Julong;Gao Guoying
采用第一性原理方法研究了大直径单壁氮化硼纳米管的高压行为。通过对大直径BNNT进行压缩，得到了一种sp3杂化和三种sp2/sp3杂化的BN同素异形体。由于不等价的B和N原子的运动受到限制，大的BN纳米管在压力下除了形成常见的B-N键外，还有机会在管间形成B-B和N-N键。电子定位函数和Mulliken布居分析表明了B-B和N-N二聚体的共价性质。电子能带结构和态密度的计算表明，TP 24-BN的局域导电特性和超硬半导体性质的其他三个同素异形体的间接带隙为1.28 - 3.13 eV。
The high-pressure behaviors of large-diameter single-walled boron nitride nanotubes (BNNTs) are studied by the first-principles method. One sp3-hybridized and three sp2/sp3-hybridized BN allotropes are obtained via compressing large diameter BNNTs. Due to the restricted movement of nonequivalent B and N atoms, the large BN nanotubes have a chance to form B-B and N-N bonds between intertubes under pressure, in addition to the common B-N bonds. The electron localization function and Mulliken's population analysis indicate the covalent nature of the B-B and N-N dimers. The electronic band structure and density of state calculations show a local conducting feature of tP24-BN and superhard semiconducting character of the other three allotropes with indirect band gaps of 1.28 – 3.13 eV.
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DOI：
10.1088/0953-8984/25/12/122204
发表时间：
2013-03
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
Xue Jiang;Jijun Zhao;R. Ahuja
通讯作者：
Xue Jiang;Jijun Zhao;R. Ahuja
DOI：
10.1039/c1cp20435a
发表时间：
2011-08
期刊：
Physical chemistry chemical physics : PCCP
影响因子：
--
作者：
B. Wen;Jijun Zhao;R. Melnik;Yongjun Tian
通讯作者：
B. Wen;Jijun Zhao;R. Melnik;Yongjun Tian
影响因子：
3.7
作者：
Kresse, G;Furthmuller, J
通讯作者：
Furthmuller, J
影响因子：
8.6
作者：
Gao, FM;He, JL;Tian, YJ
通讯作者：
Tian, YJ
影响因子：
8.6
作者：
HAMANN, DR;SCHLUTER, M;CHIANG, C
通讯作者：
CHIANG, C