Novel lateral IGBT with n-region controlled anode on SOI substrate
Novel lateral IGBT with n-region controlled anode on SOI substrate
复制标题
SOI 衬底上具有 n 区控制阳极的新型横向 IGBT
DOI：
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发表时间：
2009
影响因子：
5.1
通讯作者：
Zhang, Bo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Fang, Jian;Li, Zhaoji;Chen, Wensuo;Li, Zehong;Xie, Gang;Zhang, Bo
