PLD 法を用いたβ-Ga2O3 エピタキシャル薄膜成長NiO バッファー層導入による低温化
PLD 法を用いたβ-Ga2O3 エピタキシャル薄膜成長NiO バッファー層導入による低温化
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使用 PLD 方法生长 β-Ga2O3 外延薄膜 通过引入 NiO 缓冲层降低温度
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
吉本 護
中科院分区：
文献类型：
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作者：
福田大二;塩尻大士，山内涼輔;土嶺信男;金子 智;松田晃史;吉本 護
