Charge dynamics in doped Mott insulators on a honeycomb lattice
Charge dynamics in doped Mott insulators on a honeycomb lattice
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蜂窝晶格上掺杂莫特绝缘体的电荷动力学
DOI：
10.1142/s0217984916501074
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发表时间：
2015-11
影响因子：
1.9
通讯作者：
Feng Shiping
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ma Xixiao;Lan Yu;Qin Ling;Feng Shiping
在费米子自旋理论的框架下，考虑赝隙效应，研究了掺杂Mott绝缘子在蜂窝晶格上的电荷输运。结果表明，在低掺杂状态下，电导率谱被赝隙分隔成一个低能量的非德鲁德峰，随后是一个宽的中红外波段。然而，随着掺杂量的增加，赝隙的减小导致中红外波段的位置向低能非德鲁德峰移动，然后在高掺杂状态下恢复低能德鲁德行为。结果表明，由赝隙引起的双组分电导率是掺杂Mott绝缘子的一个普遍特征。
Within the framework of the fermion-spin theory, the charge transport in the doped Mott insulators on a honeycomb lattice is studied by taking into account the pseudogap effect. It is shown that the conductivity spectrum in the low-doped regime is separated by the pseudogap into a low-energy non-Drude peak followed by a broad mid-infrared band. However, the decrease of the pseudogap with the increase of doping leads to a shift of the position of the mid-infrared band towards the low-energy non-Drude peak, and then the low-energy Drude behavior recovers in the high-doped regime. The combined results of both the doped honeycomb-lattice and square-lattice Mott insulators indicate that the two-component conductivity induced by the pseudogap is a universal feature in the doped Mott insulators.
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影响因子：
1.7
作者：
Okumura, Soichiro;Kawamura, Hikaru;Motome, Yukitoshi
通讯作者：
Motome, Yukitoshi
DOI：
10.1209/epl/i1999-00484-4
发表时间：
1999-11-01
期刊：
EUROPHYSICS LETTERS
影响因子：
--
作者：
Weht, R;Filippetti, A;Pickett, WE
通讯作者：
Pickett, WE
DOI：
10.1007/bf01303701
发表时间：
1986-01-01
期刊：
ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK B-CONDENSED MATTER
影响因子：
--
作者：
BEDNORZ, JG;MULLER, KA
通讯作者：
MULLER, KA
DOI：
10.1142/s0217979215300091
发表时间：
2015-01
期刊：
arXiv: Superconductivity
影响因子：
--
作者：
S. Feng;Y. Lan;Huaisong Zhao;Lulin Kuang;L. Qin;Xixia Ma
通讯作者：
S. Feng;Y. Lan;Huaisong Zhao;Lulin Kuang;L. Qin;Xixia Ma
影响因子：
44.1
作者：
P. Phillips
通讯作者：
P. Phillips