GaN-based mid-power flip-chip light-emitting diode with high-3 dB bandwidth for visible light communications

GaN-based mid-power flip-chip light-emitting diode with high-3 dB bandwidth for visible light communications
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基于 GaN 的中等功率倒装芯片发光二极管，具有高 3 dB 带宽，适用于可见光通信

DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
Applied Optics
影响因子：
1.9
通讯作者：
Gang Wang
Gang Wang
中科院分区：
工程技术4区
文献类型：
--
作者：
Zheng Zhou;Bing Yan;Xuejin Ma;Dongdong Teng;Lilin Liu;Gang Wang

文献摘要

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