H.Matsuhashi, et al.: "Self-Aligned 10-nm Barrier Layer Formation Technology for Fully Self-Aligned Metal-Semiconductor Field-Effect-Transistor" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.37-6A. 3264-3267 (1998)
H.Matsuhashi, et al.: "Self-Aligned 10-nm Barrier Layer Formation Technology for Fully Self-Aligned Metal-Semiconductor Field-Effect-Transistor" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.37-6A. 3264-3267 (1998)
复制标题
H.Matsuhashi 等人：“用于完全自对准金属半导体场效应晶体管的自对准 10 nm 势垒层形成技术”Jpn.J.Appl.Phys.Vol.37-6A。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
