K.Hiraoka, T.Sato, S.Sato, S.Hishiki: "Formation of amorphous silicon by the low-temperature tunneling reaction of H atoms with solid the films SiH4 at 10K"Journal of Physical Chemistry B. 105. 6950-6955 (2001)
K.Hiraoka, T.Sato, S.Sato, S.Hishiki: "Formation of amorphous silicon by the low-temperature tunneling reaction of H atoms with solid the films SiH4 at 10K"Journal of Physical Chemistry B. 105. 6950-6955 (2001)
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K.Hiraoka、T.Sato、S.Sato、S.Hishiki：“通过 H 原子与固体薄膜 SiH4 在 10K 下的低温隧道反应形成非晶硅”物理化学杂志 B. 105. 6950-6955
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