Characteristics of a-plane GaN grown on oxide-patterned r-plane sapphire substrates
Characteristics of a-plane GaN grown on oxide-patterned r-plane sapphire substrates
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氧化物图案 r 面蓝宝石衬底上生长的 a 面 GaN 的特性
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
孫志壽
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E. Kulla;M. Hiyama;M. Ikeda;L. Barolli;F. Xhafa and M. Takizawa;孫志壽
