Hiroshi Nakatsuji, Yoshinari Kamakura, Kenji Taniguchi: "A study of Subband Structure and Trasport of Two-Dimensional Holes in Strained Si p-MOSFETs Using Fall-Band Modeling"International ELECTRON DEVICES meeting Technical Digest. 2002. 727-730 (2002)
Hiroshi Nakatsuji, Yoshinari Kamakura, Kenji Taniguchi: "A study of Subband Structure and Trasport of Two-Dimensional Holes in Strained Si p-MOSFETs Using Fall-Band Modeling"International ELECTRON DEVICES meeting Technical Digest. 2002. 727-730 (2002)
复制标题
Hiroshi Nakatsuji、Yoshinari Kamakura、Kenji Taniguchi：“使用降带建模研究应变 Si p-MOSFET 中的子带结构和二维空穴传输”国际电子器件会议技术文摘。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
