K. Sawada et al.: "Low-Temperature Heteroepitaxial Growth of Si on sapphire by Disilane Gas-source Molecular Beam Epitaxy." J. of Crystal Growth,. Vol. 97,. 587-590 (1989)
K. Sawada et al.: "Low-Temperature Heteroepitaxial Growth of Si on sapphire by Disilane Gas-source Molecular Beam Epitaxy." J. of Crystal Growth,. Vol. 97,. 587-590 (1989)
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K. Sawada 等人：“通过乙硅烷气源分子束外延在蓝宝石上进行硅的低温异质外延生长”。
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