Characterization of In2O3 Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors
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复制标题
In2O3 沟道铁电栅薄膜晶体管的表征
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Dan Ricinschi and Eisuke Tokumitsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ken-Ichi Haga;Yuki Nakada;Dan Ricinschi and Eisuke Tokumitsu
