Development of growth technology of mc-Si ingot suppressing impurity contamination
Development of growth technology of mc-Si ingot suppressing impurity contamination
复制标题
抑制杂质污染的多晶硅锭生长技术的开发
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Siro. Sakuragi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kozo Fujiwara;Yukichi Horioka;Siro. Sakuragi
