Characterization of the perfection of Si1-xGex layers on silicon by x-ray methods
Characterization of the perfection of Si1-xGex layers on silicon by x-ray methods
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通过 X 射线方法表征硅上 Si1-xGex 层的完美性
DOI：
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发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
P. Zaumseil
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Zaumseil
