S.Koh: "Hole transport properties of B-doped relaxed Si0.7Ge 0.3 epitaxial films grown by MBE"Journal of Crystal Growth. (掲載予定).
S.Koh: "Hole transport properties of B-doped relaxed Si0.7Ge 0.3 epitaxial films grown by MBE"Journal of Crystal Growth. (掲載予定).
复制标题
S.Koh：“MBE 生长的 B 掺杂弛豫 Si0.7Ge 0.3 外延薄膜的空穴传输特性”《晶体生长杂志》（待出版）。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
