F离子注入新型Al0.25Ga0.75N/GaN HEMTs器件耐压分析
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DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
Acta Physica Sinica
影响因子：
1
通讯作者：
段宝兴
段宝兴
中科院分区：
物理与天体物理4区
文献类型：
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作者：
段宝兴
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