A CMOS image sensor with stacked photodiodes for lensless observation system of digital enzyme-linked immunosorbent assay
A CMOS image sensor with stacked photodiodes for lensless observation system of digital enzyme-linked immunosorbent assay
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用于数字酶联免疫吸附测定无透镜观察系统的堆叠光电二极管 CMOS 图像传感器
DOI：
10.7567/jjap.53.04el02
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发表时间：
2014
影响因子：
1.5
通讯作者：
J. Ohta
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Takehara;K. Miyazawa;T. Noda;K. Sasagawa;T. Tokuda;Soo Hyeon Kim;R. Iino;H. Noji;J. Ohta
采用0.18 µm混合信号CMOS工艺技术制造了具有堆叠光电二极管的CMOS图像传感器。在CMOS图像传感器的每个像素的相同位置处堆叠两个光电二极管。叠层光电二极管由浅高浓度N型层（N+）、P型阱（PW）、深N型阱（DNW）和P型衬底（P-sub）组成。PW和P-sub对地短路。通过分别监测N+和DNW的电压，我们可以同时观察到两种单色，而无需使用任何滤色器。CMOS图像传感器适用于荧光成像，特别是接触成像，例如数字酶联免疫吸附测定（ELISA）的无透镜观察系统。由于在数字ELISA中荧光随时间增加，因此可以通过计算两个光电二极管的像素值之间的初始关系的差异来精确地观察荧光。
A CMOS image sensor with stacked photodiodes was fabricated using 0.18 µm mixed signal CMOS process technology. Two photodiodes were stacked at the same position of each pixel of the CMOS image sensor. The stacked photodiodes consist of shallow high-concentration N-type layer (N+), P-type well (PW), deep N-type well (DNW), and P-type substrate (P-sub). PW and P-sub were shorted to ground. By monitoring the voltage of N+ and DNW individually, we can observe two monochromatic colors simultaneously without using any color filters. The CMOS image sensor is suitable for fluorescence imaging, especially contact imaging such as a lensless observation system of digital enzyme-linked immunosorbent assay (ELISA). Since the fluorescence increases with time in digital ELISA, it is possible to observe fluorescence accurately by calculating the difference from the initial relation between the pixel values for both photodiodes.
基于自抑制原理的宽动态范围光栅型图像传感器
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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作者：
Yuki Maruyama;Kazuaki Sawada;Hidekuni Takao;Makoto Ishida
通讯作者：
Makoto Ishida
使用相同传感区域的融合 pH 和荧光传感器
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
中澤寛一;石井広康;石田誠;澤田和明
通讯作者：
澤田和明