Characteristics of Ge Nanodots Embedded in SiC Layer Fabricated on Si(001)
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复制标题
Si(001) 上 SiC 层嵌入 Ge 纳米点的特性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Takata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kanji Yasui;H.Suto;T.Kuroda;H.Nishiyama;Y.Inoue;T.Akahane;M.Takata
