Electron impact collision strengths in Si IX, Si X, and Si XI
Electron impact collision strengths in Si IX, Si X, and Si XI
复制标题
Si IX、Si X 和 Si XI 中的电子碰撞强度
DOI：
10.1016/j.adt.2006.12.001
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发表时间：
2006-08
影响因子：
1.8
通讯作者：
J.L. Zeng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
G. Zhao;G.Y. Liang;J.L. Zeng
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DOI：
10.1086/313087
发表时间：
1998-04
期刊：
The Astrophysical Journal Supplement Series
影响因子：
--
作者：
L. Coutinho;A. Trigueiros
通讯作者：
L. Coutinho;A. Trigueiros
影响因子：
1.8
作者：
D. H. Sampson;Stephen J. Goett;Robert E. H. Clark
通讯作者：
D. H. Sampson;Stephen J. Goett;Robert E. H. Clark
DOI：
10.1063/1.2915135
发表时间：
1981-09
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
R. Cowan;Yong-ki Kim
通讯作者：
R. Cowan;Yong-ki Kim
DOI：
10.1046/j.1365-8711.2000.03599.x
发表时间：
2000-07
影响因子：
4.8
作者：
F. Keenan;E. O'Shea;R. Thomas;J. Brosius;A. Katsiyannis;R. Ryans;R. Reid;A. Pradhan;H. L. Zhang
通讯作者：
F. Keenan;E. O'Shea;R. Thomas;J. Brosius;A. Katsiyannis;R. Ryans;R. Reid;A. Pradhan;H. L. Zhang
影响因子：
6.5
作者：
A. Raassen;J. Ness;R. Mewe;R. Meer;V. Burwitz;J. Kaastra
通讯作者：
A. Raassen;J. Ness;R. Mewe;R. Meer;V. Burwitz;J. Kaastra