NO 窒化 SiO2/SiC(11-20) 界面へのエキシマ紫外光照射の影響

NO 窒化 SiO2/SiC(11-20) 界面へのエキシマ紫外光照射の影響
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准分子紫外光照射对NO氮化物SiO2/SiC(11-20)界面的影响

DOI:
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发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
渡部 平司
渡部 平司
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
藤本 博貴;小林 拓真;染谷 満;岡本 光央;志村 考功;渡部 平司

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