新規p型ワイドギャップSn2+酸化物SnNb2O6における正孔生成
新規p型ワイドギャップSn2+酸化物SnNb2O6における正孔生成
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新型 p 型宽禁带 Sn2+ 氧化物 SnNb2O6 中的空穴生成
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
西尾圭史
中科院分区：
文献类型：
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作者：
三溝朱音;菊地直人;相浦義弘;西尾圭史
