NORMALIZED THERMIONIC-FIELD (T-F) EMISSION IN METAL-SEMICONDUCTOR (SCHOTTKY) BARRIERS
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DOI：
10.1016/0038-1101(69)90117-8
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发表时间：
1969-01-01
影响因子：
1.7
通讯作者：
RIDEOUT, VL
中科院分区：
文献类型：
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作者：
CROWELL, CR;RIDEOUT, VL
