Analysis of breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs with high-k passivation layer and high acceptor density in buffer layer
Analysis of breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs with high-k passivation layer and high acceptor density in buffer layer
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高k钝化层和缓冲层高受主密度的AlGaN/GaN HEMT击穿电压分析
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Horio
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Ueda;R. Tomita;Y. Kawada;and K. Horio
