A 415 nW Physically and Mathematically Secure Electro-Quasistatic HBC Node in 65nm CMOS for Authentication and Medical Applications
A 415 nW Physically and Mathematically Secure Electro-Quasistatic HBC Node in 65nm CMOS for Authentication and Medical Applications
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采用 65nm CMOS 的 415 nW 物理和数学安全电准静态 HBC 节点，适用于身份验证和医疗应用
DOI：
10.1109/cicc48029.2020.9075930
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Sen, Shreyas
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Maity, Shovan;Modak, Nirmoy;Yang, David;Avlani, Shitij;Nath, Mayukh;Danial, Josef;Das, Debayan;Mehrotra, Parikha;Sen, Shreyas
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DOI：
10.1109/isscc.2019.8662387
发表时间：
2019
期刊：
2019 IEEE International Solid- State Circuits Conference - (ISSCC)
影响因子：
--
作者：
Jiwoong Park;P. Mercier
通讯作者：
P. Mercier
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DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
IEEE International Solid-State Circuits Conference
影响因子：
--
作者：
Vivek Mangal;P. Kinget
通讯作者：
P. Kinget
DOI：
10.1109/isscc.2015.7063085
发表时间：
2015-03
期刊：
2015 IEEE International Solid-State Circuits Conference - (ISSCC) Digest of Technical Papers
影响因子：
--
作者：
Hyunwoo Cho;Hyunki Kim;Minseo Kim;Jaeeun Jang;Joonsung Bae;H. Yoo
通讯作者：
Hyunwoo Cho;Hyunki Kim;Minseo Kim;Jaeeun Jang;Joonsung Bae;H. Yoo
影响因子：
4.6
作者：
Das, Debayan;Maity, Shovan;Sen, Shreyas
通讯作者：
Sen, Shreyas