Buried tunnel junctions using low resistive GaInN tunnel junctions with high Si concentrations
Buried tunnel junctions using low resistive GaInN tunnel junctions with high Si concentrations
复制标题
使用具有高 Si 浓度的低电阻 GaInN 隧道结的埋地隧道结
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and I. Akasaki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Akatsuka;D. Takasuka;T. Akagi;T. Takeuchi;M. Iwaya;S. Kamiyama;and I. Akasaki
