Orientation of PbTiO3 Thin Films Prerared by Sputter-Assisted Plasma CVD (II)
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溅射辅助等离子体CVD制备PbTiO3薄膜的取向（二）
DOI：
10.3131/jvsj.38.244
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发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Makabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Mihara;S. Mochizuki;R. Makabe
PbTiO3系 ペ ロブス カイ ト型 酸化 物(PZT,PLZTな ど)は,赤 外線 セ ソサ,電 気光学素子,メ モ リ材料 など への応用 が期待 されて いる強誘電体 であ る.PbTiO3は 正方 晶であ り,そ の自発分極はc軸 方 向である.焦 電係 数 が大 きいこ とか ら,赤 外線セ ンサな どの開発が有望視 され ている.例 えば後か らの分極処理 が困難な2次 元赤 外 線 セ ン サ ア レ イ な ど へ の 応 用 を 考 え る と,asdepositedで 配 向の そ ろ った膜 が 必要 とな る.我 々は PbTiO3の 薄膜化 をスパ ッタア シス トプラズマCVD法 を 用 いて 試み て きた1,2).配 向に 関 して はMgO(100), Pt(100)/MgO(100),Pt(111)/quartz glass基板上 で膜の 組成を化学量論 に保 った時 に基板温度に対 し配 向性が ど の よ うに変化す るかを調べた結果,基 板 温度600°C で配 向性の高い膜が得 られ た ことを報告 した3).今 回は基板 温 度を固定 し組成を変化 させた場 合の配 向性について報 告す る.