FINITE-TEMPERATURE PROPERTIES OF AMORPHOUS-SILICON
FINITE-TEMPERATURE PROPERTIES OF AMORPHOUS-SILICON
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DOI：
10.1103/physrevlett.67.2179
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发表时间：
1991-10-14
影响因子：
8.6
通讯作者：
SANKEY, OF
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
DRABOLD, DA;FEDDERS, PA;SANKEY, OF
采用从头算局域轨道量子分子动力学方法研究了非晶硅的有限温度性质。 利用63和216原子的a-Si结构模型，研究了导带尾和价带尾的结构和温度依赖性。 对最近实验观测到的a-Si导带和价带带尾宽度随温度变化的不对称性提出了一种解释。 最后，我们将这些模拟与其他理论描述的带尾。
Ab initio local-orbital quantum molecular dynamics is used to study the finite-temperature properties of amorphous silicon. Using two structural models of a-Si with 63 and 216 atoms, we examine the structure and temperature dependence of conduction and valence band tails. An explanation is suggested for the recent experimental observations of an asymmetry in the temperature dependence of the band-tail widths of the conduction and valence bands in a-Si. Finally, we connect these simulations to other theoretical descriptions of band tailing.