Chemical design of polysilsesquioxane as a gate insulator for organic thin-film transistors(INVITED)
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有机薄膜晶体管栅极绝缘体聚倍半硅氧烷的化学设计（邀请）
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Matsukawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Hamada;S.Yamazaki;T. Nagase;K. Tomatsu;Y.Ueda;M. Watanabe;S. Watase;T. Tamai T. Kobayashi;S. Murakami;H. Naito;and K. Matsukawa
