GaAsエピタキシャル界面への窒素のデルタドーピングと高均一発光特性
GaAsエピタキシャル界面への窒素のデルタドーピングと高均一発光特性
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氮对 GaAs 外延界面的 Delta 掺杂和高度均匀的发光特性
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
喜多隆
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Sakamoto;T.Sato;M. Seki;喜多隆
