Enhancement of Thermoelectric Performance of N-type Mg2Si by Chemical Pressure of Impurity Dopants
Enhancement of Thermoelectric Performance of N-type Mg2Si by Chemical Pressure of Impurity Dopants
复制标题
杂质掺杂剂化学压力增强N型Mg2Si热电性能
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and N. Hamada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Hirayama;Y. Imai;and N. Hamada
