SPIN FLIP OF EXCITONS IN GAAS QUANTUM WELLS
SPIN FLIP OF EXCITONS IN GAAS QUANTUM WELLS
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GAAS 量子阱中激子的自旋翻转
DOI：
10.1103/physrevb.55.13789
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发表时间：
1997
影响因子：
3.7
通讯作者：
K. Ploog
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Snoke;W. Rühle;K. Köhler;K. Ploog
我们报告测量的转换率从J=2激子到J=1激子，以及从右手J=1激子到左手J=1激子的转换，和测量的固有辐射寿命的J=1激子，在非常高质量的GaAs量子威尔斯。由于实验是在非常低的温度下进行的，并且具有共振激发，因此不存在能量弛豫的影响。
We report measurements of the rates of conversion from J=2 excitons to J=1 excitons, as well as conversion from right-handed J=1 excitons to left-handed J=1 excitons, and measurement of the intrinsic radiative lifetime of J=1 excitons, in very-high-quality GaAs quantum wells. Since the experiments are performed at very low temperature and with resonant excitation, the effects of energy relaxation are absent.