Reliability and DC performance of InGaZnO Thin-Film Transistors with TEOS-based SiO2 Stack Passivation
Reliability and DC performance of InGaZnO Thin-Film Transistors with TEOS-based SiO2 Stack Passivation
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采用基于 TEOS 的 SiO2 堆栈钝化的 InGaZnO 薄膜晶体管的可靠性和直流性能
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
古田守
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S G Mehadi Aman;是友大地;田中宏怜;古田守
