Electrical conductivity measurement of the quasi-one-dimensional structure on a silicon surface
Electrical conductivity measurement of the quasi-one-dimensional structure on a silicon surface
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硅表面准一维结构的电导率测量
DOI：
10.11470/oubutsu.88.9_613
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
有賀 哲也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
八田 振一郎;有賀 哲也
超高真空 (UHV) 環境に対応した 4 端子電気伝導度測定器を開発し, In/Si (111) 表面の 1 次元原子鎖構造の電気伝導と金属‐絶縁体転移を調べた. はじめに半導体表面と電極端子間の電気接合を冷却中または加熱中においても安定させる方策について紹介する. 原子鎖構造の電気伝導度の温度変化を測定し, 金属‐絶縁体転移のヒステリシスが非対称な形状を示し, 絶縁体相から金属相へ転移する過程が転移温度以下から進行することを見いだした. これは原子鎖間の相互作用がドメイン端付近で失われることに起因する不均質核生成による.