Planar defect formation mechanism in Ge-rich SiGe-on-insulator substrates during Ge condensation process
Planar defect formation mechanism in Ge-rich SiGe-on-insulator substrates during Ge condensation process
复制标题
富Ge绝缘体上SiGe衬底在Ge凝聚过程中平面缺陷形成机制
DOI：
10.1016/j.tsf.2008.08.053
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Hirashita;S. Nakaharai;Y. Moriyama;K. Usuda;T. Tezuka;N. Sugiyama;S. Takagi
